Infineon Technologies N-CSATORNÁS POWER MOSFET (Csomag 427) (SPB04N50C3)

Channel Type : NCsatorna; Voltage Drainto Source : 60 V; Csatornasource On ResistanceMax : 7.5 Ω;.Rated Power Dissipation(P) : 300 m W;.Az NCsatornás 60 V 7.5 Ohm 300 m W Felületre Szerel

Az elem jó minőségét.Csomag referencia tömeg : Tömeg : 0.058 kg (0.13 lb.).teszteljük, hogy a termék a szállítás Előtt.Becsült Szállítási Idő : 624 nap(nyomonkövethető) bi

Chips Kapu alakult 2010ben, egy professzionális beszerzési B2 B & B2 C eszköz elektronikalkatrészek mező.Már több mint 200.000 vonalak raktáron lehetnek szállítjuk 1 3 munkanapon b

Chips Kapu alakult 2010ben, egy professzionális beszerzési B2 B & B2 C eszköz elektronikalkatrészek mező.Már több mint 200.000 vonalak raktáron lehetnek szállítjuk 1 3 munkanapon b

Ár : Csomag 1 Order Egység : Minden 1 Folyamatos Csatorna Aktuális Id : : 110 Csatorna Forrás Feszültség Vds : : 55 MSL : : Nem.a Csapok : : 3 Ellenállás Rds(on) : : 0.008 Működé

Az NCsatornás 35 A (Tc) 310 W (Tc) Keresztül Lyuk3 PProduct Tulajdonságok : Kategória : Diszkrét Félvezető Termékek, Tranzisztorok FETs, mosfetek Single Mfr : Fairchild Semicondu

✅Tartós anyagok : Készült tartós anyag, sok előírások, valamint a hosszú élettartam ✅Széles körű alkalmazása : Ezek a trióda tranzisztorok széles körben használt, gyöny

Maximális pénzügyi igény : A Félvezető.Sorozat : .Csomag : Táska.Rész Állapot : Elavult.FET Típ: NCsatorna.Az NCsatornás 4.1 (Ta) 2 W (Ta), 37 W (Tc) Keresztül Lyuk220 FI(LS

Channel Type : NCsatorna.Voltage Drainto Source : 60 V Csatornasource On ResistanceMax : 120 mΩ.Qg Gate Charge : 15 n C.Rated Power Dissipation(P) : 1.3 W NCsatornás 60 V 120 m Ohm 1.3 W F

Mosfet Tömb 2 NCsatorna (Kettős) 20 V 8 A 3.1 W Felületre Szerelhető 8SOProduct Tulajdonságok : Kategória : Diszkrét Félvezető Termékek, Tranzisztorok FETs, mosfetek Arrays Mfr

Chips Kapu alakult 2010ben, egy professzionális beszerzési B2 B & B2 C eszköz elektronikalkatrészek mező.Már több mint 200.000 vonalak raktáron lehetnek szállítjuk 1 3 munkanapon b

Leírás : Állapot : Új : teljesen új, nem használt, bontatlan, sértetlen elem az eredeti csomagolásában (ahol a csomagolás ..Olvasson more Brand : nem apply Drain, hogy a Source Fes

Az NCsatornás 30 V 16 A (Ta), 28 A (Tc) 2.5 W (Ta), 48 W (Tc) Felületre Szerelhető 8PQFN (5x6) Ro HS Állapot : ROHS3 Compliant Moisture Érzékenységi Szint (MSL) : 1 (Korlátlan) REAC

Termék Neve : PNP Tranzisztor;Modell : 2 N3906 Csomag : TO92;Collector Bázis Feszültség : 40 V.Kollektor Áram : 200m A;Test Méret : 4 x 4 x 3 mm / 0.16" x 0,16" x 0.12" (LWT).Súlya :

Áttekintés : TO220 Teljesítmény MOS FET IRF520 N, Aktuális : 9.7 A, Feszültség : 100 V.Eredeti Bipoláris Tranzisztorok Junction Trióda MosfetEk.Eredeti Bipoláris Tranzisztorok Junc

Termék Neve : PNP Tranzisztor;Modell : S9013 Csomag : TO92;Collector Bázis Feszültség : 40 V.Kollektor Áram : 500 ma;Test Méret : 4.3 x 4.3 x 3mm / 0.16" x 0,16" x 0.12" (LWT).Súlya

Chips Kapu alakult 2010ben, egy professzionális beszerzési B2 B & B2 C eszköz elektronikalkatrészek mező.Már több mint 200.000 vonalak raktáron lehetnek szállítjuk 1 3 munkanapon b

Ultra AlacsonyEllenállás.A Speciális Gyártási Technológia.Dinamikdv / dt Értékelés.Gyors Váltás.Könnyű Párhuzamosításhoz.A IRFZ34 N teljesítmény mosfetek tartalmazza az Ncs

Chips Kapu alakult 2010ben, egy professzionális beszerzési B2 B & B2 C eszköz elektronikalkatrészek mező.Már több mint 200.000 vonalak raktáron lehetnek szállítjuk 1 3 munkanapon b